ROHM在福冈增建新厂房，扩大SiC功率器件产能

半导体制造商ROHM决定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）的筑后工厂增建新厂房，以因应日渐升高的SiC功率器件生产需求。

该新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000平方米。目前正在进行相关细部设计，预计于2019年动工，并于2020年竣工完成。

ROHM自2010年开始量产SiC功率器件（SiC-SBD、SiC-MOSFET）以来，领先业界进行各项新技术开发，是全球第一家进行全SiC功率模组和沟槽结构SiC-MOSFET量产的半导体公司。在制造方面，ROHM集团也建构了傲人的垂直整合生产体制，致力于强化晶圆大口径制程，并积极导入最新设备来提高生产效率。

目前世界正掀起前所未有的节能浪潮，业界对于可有效提升能源效率的SiC功率器件充满期待。为了满足日益增加的市场需求，ROHM决定在Apollo筑后工厂增建新厂房，以提高生产能力。

今后，ROHM集团将持续掌握市场需求，在强化生产能力的同时，严格贯彻多点生产体制、库存管理、设备防灾等措施，致力于稳定供货以满足客户所需。